Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31.2 A 277.8 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4706
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4706
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 277.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 15.95 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 277.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 15.95 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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