Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-4709P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 125 - 225 | CHF 0.465 |
| 250 - 600 | CHF 0.434 |
| 625 - 1225 | CHF 0.404 |
| 1250 + | CHF 0.374 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4709P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Integrierte ESD-Schutzdiode
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten