Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 557 A 416 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 222-4754
Herst. Teile-Nr.:: IRL40SC228
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 557 A 416 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRL40SC228
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	557A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.65mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	416W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	307nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.54mm
	Breite	4.83 mm
	Höhe	4.83mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 557A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.65mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 416W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 307nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.54mm
	Breite 4.83 mm
	Höhe 4.83mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRL40SC228

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 557A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRL40SC228

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene Anwendungen konzipiert, die eine robuste Leistung und Effizienz erfordern. Er verfügt über ein kompaktes D2PAK-7-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das eine bequeme Installation in platzbeschränkten Umgebungen gewährleistet. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 557A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40V sind seine Abmessungen 10,54mm in der Länge, 9,65mm in der Breite und 4,83mm in der Höhe.

Eigenschaften und Vorteile

• Optimiert für Logic Level Drive für verbesserte Kompatibilität

• Niedriger RDS(on) von 0,50mΩ für geringere Verlustleistung

• Hohe Strombelastbarkeit von bis zu 557 A für anspruchsvolle Anwendungen

• Vielseitige Anwendungen in Motorantrieben und Stromversorgungen

Anwendungen

• Geeignet für Bürsten- und BLDC-Motorantriebsschaltungen

• Ideal für batteriebetriebene elektronische Systeme

• Verwendung in Halbbrücken- und Vollbrücken-Schaltungstopologien

• Wirksam als Synchrongleichrichter in der Stromversorgung

• Verwendung in DC-DC- und AC-DC-Wandlern

Was sind die Hauptvorteile der Verwendung dieses Geräts in Hochstromanwendungen?

Der niedrige Einschaltwiderstand des Bauelements verbessert den Wirkungsgrad erheblich und ermöglicht einen höheren Stromfluss ohne wesentliche Wärmeentwicklung. Dies unterstützt die Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Situationen, in denen die Stromkapazität entscheidend ist.

Wie verhält sich dieser MOSFET unter Hochtemperaturbedingungen?

Er arbeitet effektiv über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Stabilität und Funktionalität auch unter extremen Betriebsbedingungen.

Welche Merkmale verbessern die Robustheit dieses MOSFETs im Betrieb?

Verbesserte Gate- und Avalanche-Robustheit schützen ihn vor Spannungsspitzen, während seine niedrigen dynamischen dV/dt-Fähigkeiten zu einer gleichbleibenden Leistung unter schnell wechselnden Bedingungen beitragen.