Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 557 A 416 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4755P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL40SC228
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 5.07 |
| 50 - 120 | CHF 4.697 |
| 125 - 245 | CHF 4.404 |
| 250 + | CHF 4.101 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4755P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL40SC228
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 557A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 307nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 557A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 307nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 557A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRL40SC228
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene Anwendungen konzipiert, die eine robuste Leistung und Effizienz erfordern. Er verfügt über ein kompaktes D2PAK-7-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das eine bequeme Installation in platzbeschränkten Umgebungen gewährleistet. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 557A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40V sind seine Abmessungen 10,54mm in der Länge, 9,65mm in der Breite und 4,83mm in der Höhe.
Eigenschaften und Vorteile
• Optimiert für Logic Level Drive für verbesserte Kompatibilität
• Niedriger RDS(on) von 0,50mΩ für geringere Verlustleistung
• Hohe Strombelastbarkeit von bis zu 557 A für anspruchsvolle Anwendungen
• Vielseitige Anwendungen in Motorantrieben und Stromversorgungen
Anwendungen
• Geeignet für Bürsten- und BLDC-Motorantriebsschaltungen
• Ideal für batteriebetriebene elektronische Systeme
• Verwendung in Halbbrücken- und Vollbrücken-Schaltungstopologien
• Wirksam als Synchrongleichrichter in der Stromversorgung
• Verwendung in DC-DC- und AC-DC-Wandlern
Was sind die Hauptvorteile der Verwendung dieses Geräts in Hochstromanwendungen?
Der niedrige Einschaltwiderstand des Bauelements verbessert den Wirkungsgrad erheblich und ermöglicht einen höheren Stromfluss ohne wesentliche Wärmeentwicklung. Dies unterstützt die Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Situationen, in denen die Stromkapazität entscheidend ist.
Wie verhält sich dieser MOSFET unter Hochtemperaturbedingungen?
Er arbeitet effektiv über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Stabilität und Funktionalität auch unter extremen Betriebsbedingungen.
Welche Merkmale verbessern die Robustheit dieses MOSFETs im Betrieb?
Verbesserte Gate- und Avalanche-Robustheit schützen ihn vor Spannungsspitzen, während seine niedrigen dynamischen dV/dt-Fähigkeiten zu einer gleichbleibenden Leistung unter schnell wechselnden Bedingungen beitragen.