Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4879
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.29.30
Auf Lager
- 1'450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.586 | CHF.29.09 |
| 100 - 200 | CHF.0.455 | CHF.22.68 |
| 250 - 450 | CHF.0.424 | CHF.21.21 |
| 500 - 1200 | CHF.0.394 | CHF.19.80 |
| 1250 + | CHF.0.364 | CHF.18.33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4879
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA60R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA60R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
Verwandte Links
- Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 38 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A, 3-Pin TO-220