Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.36.75

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’450 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.0.735CHF.37.01
100 - 200CHF.0.578CHF.28.88
250 - 450CHF.0.546CHF.27.04
500 - 1200CHF.0.504CHF.25.20
1250 +CHF.0.462CHF.23.31

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4879
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R600P7SXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA60R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand RG

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Verwandte Links