Infineon IPB65R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4896
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R045C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- 222-4896
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R045C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IPB65R | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IPB65R | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
Hervorragende CoolMOS-Qualität
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