Littelfuse LSIC1MO170T0750 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 4.5 A 65 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 223-3051P
- Herst. Teile-Nr.:
- LSIC1MO170T0750-TU
- Marke:
- Littelfuse
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 8.99 |
| 25 - 99 | CHF 8.17 |
| 100 - 249 | CHF 7.38 |
| 250 + | CHF 6.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-3051P
- Herst. Teile-Nr.:
- LSIC1MO170T0750-TU
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Serie | LSIC1MO170T0750 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.18mm | |
| Breite | 1.28mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.18mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Serie LSIC1MO170T0750 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.18mm | ||
Breite 1.28mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.18mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C.
Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.
Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen
Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang
Kapazität
Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin
MSL 1-Nennwert