ROHM R6030KNZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-3PF

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Herst. Teile-Nr.:
R6030KNZC17
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-3PF

Serie

R6030KNZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

86W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-3PF-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich für Schaltanwendungen verwendet.

Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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