ROHM R6050JNZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 120 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 223-6213P
- Herst. Teile-Nr.:
- R6050JNZC17
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 223-6213P
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- R6050JNZC17
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | R6050JNZ | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 83mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 120W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie R6050JNZ | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 83mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 120W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TO-220FM-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform