ROHM RS3L110AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 11 A 2 W, 8-Pin RS3L110ATTB1 SOP

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Herst. Teile-Nr.:
RS3L110ATTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOP

Serie

RS3L110AT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

128mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

115nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free Plating

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN1616-7T. Er wird hauptsächlich zum Schalten, DC/DC-Wandler und Batterie verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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