Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 223-8453P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7341QTR
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.1.827 |
| 100 - 240 | CHF.1.754 |
| 250 - 490 | CHF.1.68 |
| 500 + | CHF.1.565 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-8453P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7341QTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 3 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 3 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET in einem dualen SO-8-Gehäuse nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Das effiziente SO-8-Gehäuse bietet verbesserte thermische Eigenschaften und eine zweifache MOSFET-Matrizenfähigkeit und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
Logikebenen-Gate-Ansteuerung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung
RoHS-konform
Für Kraftfahrttechnik geeignet