STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 224-9999P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | CHF.14.48 |
| 10 - 24 | CHF.13.54 |
| 25 - 49 | CHF.13.21 |
| 50 + | CHF.12.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 224-9999P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz