Infineon BSP135I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 225-0555P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP135IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.444 |
| 250 - 490 | CHF 0.424 |
| 500 - 990 | CHF 0.404 |
| 1000 + | CHF 0.374 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0555P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP135IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | BSP135I | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie BSP135I | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon BSP135I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.
Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad