Infineon IPDQ60R010S7A N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 225-0578P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 2 - 4 | CHF 20.17 |
| 5 - 9 | CHF 19.33 |
| 10 - 24 | CHF 18.47 |
| 25 + | CHF 17.20 |
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- RS Best.-Nr.:
- 225-0578P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPDQ60R010S7A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Durchlassspannung Vf | 820mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.1mm | |
| Höhe | 21.06mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.35mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPDQ60R010S7A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Durchlassspannung Vf 820mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.1mm | ||
Höhe 21.06mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.35mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon IPDQ60R010S7A ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter gemäß dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde. Das mosfet kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation, die niedrigen RDS (ein) im QDPAK-Gehäuse ermöglicht. Die S7A-Serie ist für das Schalten mit niedriger Frequenz und hohen Strom optimiert. Anwendung wie Überlastschalter.
Minimiert Leitungsverluste
Erhöht die Energieeffizienz
Kompaktere und einfachere Designs
Niedrigere TCO- oder Stücklistenkosten