Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 225-9919P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 225-9919P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.65mm | |
| Länge | 10.52mm | |
| Höhe | 15.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.65mm | ||
Länge 10.52mm | ||
Höhe 15.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 62,5 W maximale Verlustleistung – SIHP5N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse für herkömmliche Montage geliefert. Das Gerät unterstützt hohe Drain-Quellenspannungsanforderungen und bietet gleichzeitig eine mäßige Gleichstrombelastbarkeit. Es ist für Oberflächenmontageanwendungen in Geräten vorgesehen, die RoHS-konforme Komponenten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800-V-Drainage-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 4,4 A Dauerstrom für mäßige Leistungslasten
• 1,35 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die maximale Verlustleistung von 62,5 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 16,5 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• 4,4 A Dauerstrom für mäßige Leistungslasten
• 1,35 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die maximale Verlustleistung von 62,5 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 16,5 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Schaltnetzteile
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine robuste Spannungsabweichung erfordern
• Kann für Dämpfungs- und Klemmschaltungen in HV-Systemen verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte, die mit hohen Spannungen umgehen
• Ideal für industrielle Schaltnetzteile
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine robuste Spannungsabweichung erfordern
• Kann für Dämpfungs- und Klemmschaltungen in HV-Systemen verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte, die mit hohen Spannungen umgehen
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl bei Kaltstart als auch bei hohen Temperaturen in der Industrie.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird für die Implementierung von Leiterplatten verwendet?
Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, was eine Durchsteckkühlung in Baugruppen ermöglicht.
Wie viele Anschlussstifte sind vorhanden, und wie ist die Polarität?
Das Gerät verfügt über drei Pins und verfügt über einen N-Kanal-Typ mit typischen MOSFET-Pin-Funktionen für Gate, Drain und Source.
Gibt es Grenzen für die Gate-Antriebsspannung, um Schäden zu vermeiden?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates während der Steuerung zu verhindern.