Vishay N-Channel 100 V N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 110 A 6.25 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 225-9926P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5102DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 4.131 |
| 125 - 245 | CHF 3.474 |
| 250 - 495 | CHF 3.262 |
| 500 + | CHF 3.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9926P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5102DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.6mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.12mm | |
| Höhe | 5.26mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.6mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.12mm | ||
Höhe 5.26mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft