Vishay P-Channel 12 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 12 V / 137 A 375 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 225-9943
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ123ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.15.33
Nur noch Restbestände
- Letzte 11’900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.533 | CHF.15.31 |
| 100 - 240 | CHF.1.46 | CHF.14.56 |
| 250 - 490 | CHF.1.302 | CHF.13.02 |
| 500 - 990 | CHF.1.197 | CHF.11.95 |
| 1000 + | CHF.1.029 | CHF.10.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9943
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ123ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | P-Channel 12 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.76V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Breite | 6.73 mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie P-Channel 12 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.76V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Breite 6.73 mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
Verwandte Links
- Vishay P-Channel 12 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 12 V / 137 A 375 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 40 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 226 A 600 W, 4-Pin SQJQ141EL-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 30 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 600 W, 4-Pin SQJQ131EL-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 40 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 226 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 30 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 437 A 500 W, 4-Pin SQJ128ELP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 40 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 315 A 500 W, 4-Pin SQJ138ELP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 60 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 602 A 600 W, 4-Pin SQJQ160E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)