Vishay N-Channel 60 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 602 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
225-9966
Herst. Teile-Nr.:
SQJQ160E-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

602A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Serie

N-Channel 60 V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

183nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

600W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

8 mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-geprüft

Dünnes 1,6-mm-Gehäuse

Sehr niedriger Wärmewiderstand

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