Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.3 A 5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2819P
- Herst. Teile-Nr.:
- Si4056ADY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.76.80
Nur noch Restbestände
- Letzte 4'820 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF.0.768 |
| 250 - 490 | CHF.0.626 |
| 500 - 990 | CHF.0.556 |
| 1000 + | CHF.0.424 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2819P
- Herst. Teile-Nr.:
- Si4056ADY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Stromkreisschutz und Motorsteuerung verwendet.
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
Logikebenen-Gate-Ansteuerung