Vishay Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 228-2835P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF 176.75
Auf Lager
- 5'975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 600 | CHF 0.707 |
| 625 - 1225 | CHF 0.596 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.556 |
| 2500 + | CHF 0.525 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2835P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 4,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIA938DJT-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein kompakter Dual-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für die Oberflächenmontage entwickelt wurde. Er bietet eine Niederspannungs-Schaltlösung, die für dichte elektronische Baugruppen geeignet ist, und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine Zweikanal-Steuerung in einem 8-poligen SC-70-Gehäuse erfordern. Das Gerät bewältigt mäßige Dauerstromstärken und leitet begrenzte Leistung ab, während es über einen breiten Temperaturbereich arbeitet.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 21.5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Ablassspannung von 20 V unterstützt Niederspannungssysteme
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 4,5 A ermöglicht moderate Lasten
• Gate-Ladung von 3,5 nC ermöglicht schnelleres Schalten und geringere Antriebsenergie
• Die Verlustleistung von 7,8 W hilft bei der thermischen Budgetierung
• Der Betriebsbereich von -55 bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
• Maximale Ablassspannung von 20 V unterstützt Niederspannungssysteme
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 4,5 A ermöglicht moderate Lasten
• Gate-Ladung von 3,5 nC ermöglicht schnelleres Schalten und geringere Antriebsenergie
• Die Verlustleistung von 7,8 W hilft bei der thermischen Budgetierung
• Der Betriebsbereich von -55 bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für batteriebetriebene Gleichstromverteiler
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern
• Wird für die zweikanalige Lastschaltung auf kompakten Leiterplatten verwendet
• Kann für Motorantriebs-Niederspannungsstufen verwendet werden
• Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen, die Hochtemperaturteile erfordern
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern
• Wird für die zweikanalige Lastschaltung auf kompakten Leiterplatten verwendet
• Kann für Motorantriebs-Niederspannungsstufen verwendet werden
• Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen, die Hochtemperaturteile erfordern
Welche Befestigungsmethode unterstützt er auf einer Leiterplatte?
Er wird für die Oberflächenmontage in einem 8-poligen SC-70-Gehäuse geliefert, was ein automatisiertes Löten und ein kompaktes Layout ermöglicht.
Wie verhält sich das Gerät gegenüber Gate-Drive-Grenzwerten?
Die Gate-Source-Spannung darf 12 V nicht überschreiten, um eine Gate-Dielektrische Belastung während des Betriebs zu verhindern.
Ist der Transistor für komplementäre Konfigurationen geeignet?
Es handelt sich um eine doppelte N-Kanalanordnung mit zwei Elementen pro Matrize, die gepaarte Schaltertopologien ermöglicht, bei denen zwei N-Typ-Geräte erforderlich sind.
Welchen thermischen Extremen kann er im Einsatz standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz über einen breiten thermischen Bereich.