Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 9 A 35 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (20 Stück, geliefert in Stange)*

CHF 46.06

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 668 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
20 - 48CHF 2.303
50 - 98CHF 2.182
100 - 198CHF 2.06
200 +CHF 1.899

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2837P
Herst. Teile-Nr.:
SIHA24N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

184mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 9 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHA24N80AE-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungssteuerungsfunktionen in Durchsteckmontagen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für herkömmliche Befestigungsmethoden geeignet ist, und ist so konstruiert, dass er über einen breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle elektronische Systeme arbeitet.

Merkmale und Vorteile:


• 850 V Drain-Fähigkeit für Hochspannungs-Schaltanwendungen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Leistungsaufnahme
• 184 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• Maximale Verlustleistung von 35 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 59 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltdynamik
• 30-V-Gate-Nennwert unterstützt gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Wird für industrielle Motorantriebs-Schaltstufen verwendet
• Ideal für Wechselrichter- und Wandler-Designs mit mittlerer Leistung
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Durchsteckkonstruktionen

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?


Es funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf Schaltkreise aus?


Die Durchlassspannung von 1,2 V beeinflusst den Leitungsabfall während der Körper-Dioden-Leitung und sollte bei der Schätzung der Verluste bei der Rückwärtserholung berücksichtigt werden.

Ist das Gerät für elektronische Systeme im Automobilbereich geeignet?


Sie ist nicht nach Automobilstandards spezifiziert, daher wird eine zusätzliche Validierung für Fahrzeuganwendungen empfohlen.

Welche Befestigungs- und Anschlussaspekte gelten für das Wärmemanagement?


Das TO-220-Durchsteckformat ermöglicht eine direkte Kühlung an der Lasche für eine verbesserte Wärmeableitung bis zur angegebenen Leistungsgrenze.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.