Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 31.8 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 228-2937
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ256DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.45
Auf Lager
- Zusätzlich 6’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.89 | CHF.9.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2937
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ256DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0176Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S. | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0176Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Dual N-Kanal 70 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 31.8 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 32.5 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 38 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 48 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 69.3 A 31 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt SiZ270DT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 19.1 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 258 A 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 257 A 83 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F