Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-2990P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP60061EL-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 116.76
Vorübergehend ausverkauft
- 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 17. Mai 2027
- Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 28. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | CHF 5.838 |
| 50 - 98 | CHF 5.282 |
| 100 - 198 | CHF 4.979 |
| 200 + | CHF 4.666 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2990P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP60061EL-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay P-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft