STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 127 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
228-3031P
Herst. Teile-Nr.:
STL105N8F7AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

127W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trenchgate-Struktur, die einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bewirkt, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.

Zu den niedrigsten RDS(on) auf dem Markt

Ausgezeichnetes Schaumstoff (Leistungszahl)

Niedriges Crss/Ciss Verhältnis für elektromagnetische Störfestigkeit

Hohe Lawinenbeständigkeit

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