Littelfuse X4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 220 A 800 W, 3-Pin TO-268
- RS Best.-Nr.:
- 229-1436
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTT220N20X4HV
- Marke:
- Littelfuse
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- RS Best.-Nr.:
- 229-1436
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTT220N20X4HV
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 220A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-268 | |
| Serie | X4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 800W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 19.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 220A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-268 | ||
Serie X4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 800W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 19.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFETs wurden mit der neuesten Ultra Junction Technologie für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt. Sie sind in TO-247- und TO-268HV-Gehäusen erhältlich. Sie bieten einen niedrigeren RDS(on) gleichzeitig mit verringerten Gate- und Ausgangsladungen, was ein effizienteres Schalten bei einer bestimmten Frequenz ermöglicht.
Niedrige Gateladung
Niedriger RDS (EIN)
Niedriger RthJC
Die Betriebstemperatur beträgt 175 °C.
Hohe Lawinenbelastbarkeit (900 mJ - 1 J)
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