Infineon IAUS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 300 A, 8-Pin HSOG
- RS Best.-Nr.:
- 229-1803P
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS300N08S5N012ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | CHF 5.181 |
| 50 - 98 | CHF 4.888 |
| 100 - 198 | CHF 4.525 |
| 200 + | CHF 4.222 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1803P
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS300N08S5N012ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IAUS | |
| Gehäusegröße | HSOG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IAUS | ||
Gehäusegröße HSOG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon n-Kanal-MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen