Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 50 A 72 W, 3-Pin IPD50N08S413ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD50N08S413ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

72W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

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