onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 142 A 500 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 229-6458
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L015N065SC1
- Marke:
- onsemi
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- 229-6458
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- NTH4L015N065SC1
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 142A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | SiC Power | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 283nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Höhe | 22.74mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 142A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie SiC Power | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 283nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.2 mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Höhe 22.74mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.
Höchster Wirkungsgrad
Schnellere Betriebsfrequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Verminderte elektromagnetische Störungen
Geringere Systemgröße
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