onsemi NTMF N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 120 V / 79 A 102 W, 8-Pin SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
NTMFS008N12MCT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

79A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

NTMF

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

P

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

102W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.1mm

Länge

6.3mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Flachkabel-Gehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe Wärmeleistung. Es wird mit Schaltnetzteilen, Netzschaltern, Batterie- und Schutzfunktionen verwendet.

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

RoHS-konform

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