onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 293 W, 8-Pin TDFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6489P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTSC4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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|---|---|
| 20 - 198 | CHF 5.838 |
| 200 - 998 | CHF 5.07 |
| 1000 - 1998 | CHF 4.444 |
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6489P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTSC4D3N15MC
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 293W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 293W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.5mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.
Kompaktes Design
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Inspektion