onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 241.3 A 237.5 W, 8-Pin H-PSOF
- RS Best.-Nr.:
- 229-6503P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVBLS1D7N08H
- Marke:
- onsemi
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- NVBLS1D7N08H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 241.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | H-PSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 237.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 13.28mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 241.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße H-PSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 237.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 13.28mm | ||
Breite 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET für die Automobilindustrie in einem TOLL-Gehäuse für effiziente Designs mit hoher Wärmeleistung. Er hat einen Abflussstrom von 241,3 A.
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand