STMicroelectronics Einfach RF2L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 65 V Erweiterung, 4-Pin B4E

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
230-0085P
Herst. Teile-Nr.:
RF2L16180CB4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Betriebsfrequenz

1450 MHz

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

65V

Serie

RF2L

Gehäusegröße

B4E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

9.4mm

Länge

27.94mm

Breite

9.78 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungsverstärkung typisch

14dB

Der STMicroelectronics RF2L16180CB4 ist ein intern angepasster LDMOS-Transistor mit 180 W und 28 V, entwickelt für Multicarrier-WCDMA/PCS/DCS/LTE-Basisstationen und ISM-Anwendungen mit Frequenzen von 1300 bis 1600 MHz. Vier Leitungen können als einseitiger, 180-Grad-Push-Pull- oder 90-Grad-Hybrid- oder Doherty-Anschluss mit einem geeigneten externen passenden Netzwerk konfiguriert werden.

Hoher Wirkungsgrad und lineare Verstärkungsvorgänge

Integrierter ESD-Schutz

Intern abgestimmt für einfache Bedienung

Optimiert für Doherty Anwendungen