STMicroelectronics SCTW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 388 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 230-0094P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA60N120G2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.246.64
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF.24.66 |
| 100 - 599 | CHF.24.36 |
| 600 + | CHF.24.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-0094P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA60N120G2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics SCTWA60N ist ein Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät, das mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt wurde. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
Verwandte Links
- Pilz PNOZ s4 Sicherheitsrelais, 24V dc, 2-Kanal, 3 Sicherheitskontakte Not-Aus, 1 Hilfsschalter, 4 ISO 13849-1,
- nVent RAYCHEM Begleitheizung Anschlussset CE-02, 240 x 47 x 64mm, 240mm x 64mm x 47mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 20 mm, 4-fach Nut 5mm, Länge 1000mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 40 x 40 mm, 4-fach Nut 8mm, Länge 1000mm
- Carling Tafelmontage Wippschalter, 2-poliger Wechsler Ein-(Ein), 15 A 21.08mm x 36.83mm beleuchtet, IP66, IP68
- Allen Bradley SMC-3 Sanftstarter 3-phasig 11 kW, 460 V ac / 25 A, Automatik
- nVent RAYCHEM Rohrbegleitheizung Set, selbstregulierend, Warmwassererhaltung, 9W, 20m, 230V ac
- ETI DIAZED-Sicherung, Typ DIII, Anwendungsbereich gG - gL, 63A, 500V ac, E33 Gewinde