onsemi NTB01 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 75.4 A 136.4 W, 4-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 230-9077
Herst. Teile-Nr.:: NTB011N15MC
Marke:: onsemi

onsemi NTB01 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 75.4 A 136.4 W, 4-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 230-9077
Herst. Teile-Nr.:: NTB011N15MC
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	75.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	NTB01
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	37nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	136.4W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Höhe	15.88mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie NTB01
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 136.4W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Höhe 15.88mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NTB011N15MC

Der on Semiconductor MOSFET - N-Kanal-MOSFET mit geschirmtem Gate-Leistungsgraben, der eine Ableitungs-/Quellspannung von 150 V hat

Optimierte Schaltleistung

Max RDS(on) = 10,9 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 75,4 A

Branchenweit niedrigste Qrr- und weichste Body-Diode für hervorragende rauscharme Schaltvorgänge

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten

Hoher Wirkungsgrad mit geringerer Schaltspitze und EMI

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

Verbessertes Schalten von FOM, insbesondere Qgd

100 % UIL-geprüft

Keine Notwendigkeit oder weniger Klemmholz

onsemi NTB01 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 75.4 A 136.4 W, 4-Pin TO-263

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