onsemi NTB7D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 101 A 166 W, 4-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 230-9081
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB7D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 230-9081
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB7D3N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 101A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | NTB7D | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 101A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie NTB7D | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.88mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET - N-Kanal-MOSFET mit geschirmtem Gate-Leistungsgraben, der eine Ableitungs-/Quellspannung von 150 V hat
Optimierte Schaltleistung
Max RDS(on) = 7,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 62A
Branchenweit niedrigste Qrr- und weichste Body-Diode für hervorragende rauscharme Schaltvorgänge
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Hoher Wirkungsgrad mit geringerer Schaltspitze und EMI
Niedriges Schaltgeräusch / EMI
Verbessertes Schalten von FOM, insbesondere Qgd
100 % UIL-geprüft
Keine Notwendigkeit oder weniger Klemmholz
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