onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 62 A 379 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 230-9085P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4LN040N65S3H
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.100.50
Auf Lager
- Zusätzlich 430 Einheit(en) mit Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF.10.05 |
| 100 + | CHF.8.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-9085P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4LN040N65S3H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 132nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 379W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 13.28mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 132nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 379W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 13.28mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET ist eine neue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Betriebswiderstand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher trägt die SuperFET III MOSFET FAST-Serie zur Minimierung verschiedener Stromversorgungssysteme und zur Verbesserung der Systemeffizienz bei.
100 % Lawinengeprüft
RoHS-kompatibel
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Interner Gate-Widerstand: 0,7 Ω
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 132 nC)
700 V bei TJ = 150 °C
Verwandte Links
- Pilz PNOZ s4 Sicherheitsrelais, 24V dc, 2-Kanal, 3 Sicherheitskontakte Not-Aus, 1 Hilfsschalter, 4 ISO 13849-1,
- nVent RAYCHEM Begleitheizung Anschlussset CE-02, 240 x 47 x 64mm, 240mm x 64mm x 47mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 20 mm, 4-fach Nut 5mm, Länge 1000mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 40 x 40 mm, 4-fach Nut 8mm, Länge 1000mm
- Carling Tafelmontage Wippschalter, 2-poliger Wechsler Ein-(Ein), 15 A 21.08mm x 36.83mm beleuchtet, IP66, IP68
- Allen Bradley SMC-3 Sanftstarter 3-phasig 11 kW, 460 V ac / 25 A, Automatik
- nVent RAYCHEM Rohrbegleitheizung Set, selbstregulierend, Warmwassererhaltung, 9W, 20m, 230V ac
- ETI DIAZED-Sicherung, Typ DIII, Anwendungsbereich gG - gL, 63A, 500V ac, E33 Gewinde