onsemi NTMC0 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4.5 A 3.1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 230-9092P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMC083NP10M5L
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF.0.485 |
| 250 - 490 | CHF.0.424 |
| 500 - 990 | CHF.0.374 |
| 1000 + | CHF.0.354 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-9092P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMC083NP10M5L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | NTMC0 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 83mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie NTMC0 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 83mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor zweifache n-Kanal- und P-Kanal-MOSFET mit einer Ableitungs-/Quellspannung von 100 V. Es wird in der Regel synchrone Gleichrichtung und DC/DC-Wandlung verwendet.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Geringer Leitungsverlust
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Standardabmessungen
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Das Teil ist nicht ESD-geschützt
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform