onsemi NTMC0 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4.5 A 3.1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
230-9092P
Herst. Teile-Nr.:
NTMC083NP10M5L
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NTMC0

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

83mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor zweifache n-Kanal- und P-Kanal-MOSFET mit einer Ableitungs-/Quellspannung von 100 V. Es wird in der Regel synchrone Gleichrichtung und DC/DC-Wandlung verwendet.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Geringer Leitungsverlust

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Standardabmessungen

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Das Teil ist nicht ESD-geschützt

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

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