onsemi NTMC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 291 W, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
230-9094P
Herst. Teile-Nr.:
NTMTS1D6N10MCTXG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NTMC0

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

291W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.42mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8.4mm

Breite

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Die Serie on Semiconductor NTMFS ist ein n-Kanal-MOSFET mit einer Ableitungs-/Quellspannung von 100 V. Es wird in der Regel synchrone Gleichrichtung und DC/DC-Wandlung verwendet.

Kleine Abmessungen (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Neues Power 88-Gehäuse

Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform

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