Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 59 A, 4-Pin IMZA65R027M1HXKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IMZA65R027M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon verfügt über SiC MOSFET für zuverlässige und kostengünstige Leistung im 4-poligen TO247-Gehäuse. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Es ist für hohe Temperaturen und raue Anwendungen geeignet und ermöglicht eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung der höchsten Systemeffizienz. MOSFET im 4-poligen TO247-Gehäuse reduziert parasitäre Quelleninduktivitätseffekte auf den Gate-Stromkreis und ermöglicht schnelleres Schalten und erhöhte Effizienz.

Geringe Kapazitäten

Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen

Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Erhöhte Lawinenfähigkeit

Funktioniert mit Standardtreiber

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