Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 232-0401P
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | CHF.14.44 |
| 10 - 24 | CHF.14.16 |
| 25 - 49 | CHF.13.25 |
| 50 + | CHF.12.32 |
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- 232-0401P
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon verfügt über SiC MOSFET für zuverlässige und kostengünstige Leistung im 4-poligen TO247-Gehäuse. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Es ist für hohe Temperaturen und raue Anwendungen geeignet und ermöglicht eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung der höchsten Systemeffizienz. MOSFET im 4-poligen TO247-Gehäuse reduziert parasitäre Quelleninduktivitätseffekte auf den Gate-Stromkreis und ermöglicht schnelleres Schalten und erhöhte Effizienz.
Geringe Kapazitäten
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Erhöhte Lawinenfähigkeit
Funktioniert mit Standardtreiber
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