Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4

Der Infineon verfügt über SiC MOSFET für zuverlässige und kostengünstige Leistung im 4-poligen TO247-Gehäuse. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Es ist für hohe Temperaturen und raue Anwendungen geeignet und ermöglicht eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung der höchsten Systemeffizienz. MOSFET im 4-poligen TO247-Gehäuse reduziert parasitäre Quelleninduktivitätseffekte auf den Gate-Stromkreis und ermöglicht schnelleres Schalten und erhöhte Effizienz.

Geringe Kapazitäten
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Erhöhte Lawinenfähigkeit
Funktioniert mit Standardtreiber