STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 233-3039
- Herst. Teile-Nr.:
- STB37N60DM2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.678
Auf Lager
- Zusätzlich 970 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.6.68 |
| 5 - 9 | CHF.6.35 |
| 10 - 24 | CHF.5.72 |
| 25 - 49 | CHF.5.16 |
| 50 + | CHF.4.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3039
- Herst. Teile-Nr.:
- STB37N60DM2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STB37N60 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 94mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 210W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Länge | 15.85mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STB37N60 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 94mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 210W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 10.4 mm | ||
Länge 15.85mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen MDmesh TM DM2-Wiederherstellungsdiodenserie. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.
Entwickelt für Kfz-Anwendungen und AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin STW35N60DM2
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 12 A 250 W, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 12 A 250 W, 3-Pin STH12N120K5-2 H2PAK
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 210 W, 2-Pin STB45N60DM6 TO-263