STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 233-3039P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB37N60DM2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | CHF.6.11 |
| 10 - 24 | CHF.5.51 |
| 25 - 49 | CHF.4.96 |
| 50 + | CHF.4.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3039P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB37N60DM2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | STB37N60 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 94mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 210W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 15.85mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie STB37N60 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 94mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 210W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 15.85mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen MDmesh TM DM2-Wiederherstellungsdiodenserie. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.
Entwickelt für Kfz-Anwendungen und AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt