STMicroelectronics STN3N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
STN3NF06
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

STN3N

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

3.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Breite

7mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Power MOSFET ist die neueste Entwicklung des STMicroelectronics einzigartigen "Single Feature Size"-Streifen-Verfahrens. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Robuste Lawinentechnologie

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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