Infineon IPTC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 233-4373P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF 67.06
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 18 | CHF 6.706 |
| 20 - 48 | CHF 6.313 |
| 50 - 98 | CHF 5.848 |
| 100 + | CHF 5.373 |
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- RS Best.-Nr.:
- 233-4373P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 396A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPTC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 175nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.3mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 396A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPTC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 175nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.3mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPTC012N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.
Negative Abstandhalter
Einsparung im Kühlsystem
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie