Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 288 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 233-4397P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 233-4397P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 288A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 1.1mm | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 288A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 1.1mm | ||
Höhe 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der ISC-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 288 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISZ034N06LM5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Stromversorgungsbaugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine schnelle, gate-gesteuerte Schaltung erfordern, während er in einem kleinen TDSON-Gehäuse untergebracht ist.
Merkmale und Vorteile:
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 288 A für den Umgang mit starken Strömen
• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 3,4 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für Mittelspannungsstufen
• Typische Gate-Ladung von 53 nC ermöglicht effiziente Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 83 W, um erhöhten Lastbedingungen standzuhalten
• Gate-Source-Beständigkeit von 20 V für robuste Gate-Drive-Margen
• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 3,4 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für Mittelspannungsstufen
• Typische Gate-Ladung von 53 nC ermöglicht effiziente Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 83 W, um erhöhten Lastbedingungen standzuhalten
• Gate-Source-Beständigkeit von 20 V für robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern in Stromversorgungen verwendet
• Ideal für Gleichstromverteilung und Lastschaltung
• Kann für Batteriemanagement und Zellabgleich verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern in Stromversorgungen verwendet
• Ideal für Gleichstromverteilung und Lastschaltung
• Kann für Batteriemanagement und Zellabgleich verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
Was ermöglicht den Betrieb in extremen Temperaturbereichen?
Die interne Halbleiterstruktur und die geprüften Werte ermöglichen den Einsatz von -55 °C bis 175 °C.
Wie unterstützt das Gehäuse das Wärmemanagement?
Das TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage bietet einen flachen Wärmeweg für die Wärmeableitung in Leiterplatten-Layouts.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung erforderlich?
Die Drive-Schaltung sollte eine Gate-Source-Exkursion von bis zu 20 V aufnehmen und die typische Gate-Ladung von 53 nC für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit verwalten.
Wie sollten Konstrukteure Leitungsverluste bei hohem Strom berücksichtigen?
Verwenden Sie den Rds(on)-Wert von 3,4 mΩ, um I2R-Verluste zu berechnen und Leiterplattenkupfer- und Wärmeleitungen zu überprüfen, um die resultierende Wärme zu bewältigen.
Welche Spitzenleistung ist für den Dauerbetrieb angegeben?
Das Gerät ist mit einer maximalen Verlustleistung von 83 W für kontinuierliche thermische Entwurfsaspekte spezifiziert.