Renesas Electronics BEAM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 50 W, 8-Pin WPAK
- RS Best.-Nr.:
- 234-7153P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0391DPA-00#J5A
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | WPAK | |
| Serie | BEAM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 850μm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.9mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, Halogen-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße WPAK | ||
Serie BEAM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 850μm | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.9mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, Halogen-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 30 V. Er ist für einen 4,5-V-Gate-Antrieb geeignet.
Hochgeschwindigkeits-Schalten
Niedriger Antriebsstrom
Montage mit hoher Dichte
Geringer Durchlasswiderstand
Pb-frei
Halogenfrei