Infineon Isoliert F4 Typ N-Kanal MOSFET 1200 V / 25 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY2B.
- RS Best.-Nr.:
- 234-8967
- Herst. Teile-Nr.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-8967
- Herst. Teile-Nr.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | AG-EASY2B. | |
| Serie | F4 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.062μC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Durchlassspannung Vf | 5.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Breite | 33.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Länge | 62.8mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße AG-EASY2B. | ||
Serie F4 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.062μC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Durchlassspannung Vf 5.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Breite 33.8 mm | ||
Normen/Zulassungen 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Länge 62.8mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon-IGBT-Modul verfügt über einen 4-N-Kanal-FET (Halbbrücke), der mit 1200 V Drain-Source-Spannung und 75 A Dauerstrom arbeitet.
Chassismontage
–40 °C bis 150 °C Betriebstemperatur
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