ROHM R6504KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 235-2682
- Herst. Teile-Nr.:
- R6504KND3TL1
- Marke:
- ROHM
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF.0.599
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 2500 + | CHF.0.599 | CHF.1'504.125 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 235-2682
- Herst. Teile-Nr.:
- R6504KND3TL1
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Rohm R6xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf hohem Wirkungsgrad legen. Sie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch Hochgeschwindigkeitsschalten. Hochgeschwindigkeitsschalten ermöglicht es, zu einer höheren Effizienz in PFC- und LLC-Stromkreisen beizutragen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,05 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |