ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.78.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 95CHF.1.566
100 - 245CHF.1.212
250 - 995CHF.1.182
1000 +CHF.0.788

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
235-2683P
Herst. Teile-Nr.:
R6504KND3TL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.4mm

Höhe

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Rohm R6xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf hohem Wirkungsgrad legen. Sie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch Hochgeschwindigkeitsschalten. Hochgeschwindigkeitsschalten ermöglicht es, zu einer höheren Effizienz in PFC- und LLC-Stromkreisen beizutragen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.