Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4873P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC230N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.46.95
Auf Lager
- Zusätzlich 3'745 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF.0.939 |
| 125 - 245 | CHF.0.869 |
| 250 - 495 | CHF.0.808 |
| 500 + | CHF.0.677 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4873P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC230N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.05mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.05mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der industrielle Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 6 100 V von Infineon wurde für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikations- und Server-Stromversorgung entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solaranwendungen, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende dünne Wafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Niedrigere und weichere Umkehrerholung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-Konformität
Geringe Leitungsverluste
Geringe Schaltverluste
Umweltfreundlich
